大家也許還不是非常的清楚，光刻機(jī)的種類(lèi)有非常的多，其中的技術(shù)原理也不盡相同，下面就由我來(lái)給大家簡(jiǎn)單介紹一下有關(guān)接近式光刻機(jī)的使用原理及性能指標(biāo)。

 

　　接近式光刻機(jī)的使用原理：

　　其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接近式光刻機(jī)，曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。

　　我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上，臺(tái)子可以進(jìn)行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。

　　在操作過(guò)程中掩模版和襯底晶片需要通過(guò)分立視場(chǎng)的顯微鏡同時(shí)觀察，這樣操作者用手動(dòng)控制定位臺(tái)子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對(duì)準(zhǔn)了。經(jīng)過(guò)紫外光曝光，光線通過(guò)掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。該光刻機(jī)的主要缺點(diǎn)是依賴于人操作，由于涂覆光刻膠的圓片與掩模的接觸會(huì)產(chǎn)生缺陷，每一次接觸過(guò)程，會(huì)在圓片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，設(shè)備一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應(yīng)用方面。
 

　　接近式光刻機(jī)的外觀圖片：
 

　　接近式光刻機(jī)的性能指標(biāo)：

　　設(shè)備的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。

　　1.分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的最細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。

　　2.對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。

　　3.曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫(xiě)式。

　　4.曝光光源波長(zhǎng)分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。